摩托罗拉推出232层3D TLC NAND闪存 计划明年投产

上周四，半导体公司（Micron）隆重宣布了业界首创的 232 层 3D NAND 存储提高效率，并原先将之用于包括固态硬盘（SSD）启动时在内的各种产品线。在一组下 CMOS 架构（简称 CuA）的接引下，半导体公司得以将两个 3D NAND 一组彼此堆叠。如果一切顺利，该公司有望于 2022 下半年开始减小 232 层 3D TLC NAND SSDCPU的生产。

混合 CuA 外观设计 + 232 层 NAND 方案，有效地很大地削减半导体公司 1Tb 3D TLC SSDCPU的尺寸，同时降低生产成本或提升利润率。

半导体公司尚未公开 232L 3D TLC NAND 的 IC 面积和 I/O 速率，但其实取而代之SSD将具有比现有 3D NAND 设备更为高的性能，推测可用于装上了 PCIe 5.0 接口的下一代 SSD 。

半导体公司科技产品执行执行官 Scott DeBoer 引述：该公司的相关SSD设备将装上自研和第三方主控，同时他们不会依然与其他开发人员依然的关系的合作关系，以提供者对于取而代之SSD的适当支持。

该公司的中心业界压过的附属型 NAND 存储、以及网络服务 / IP SSD 产品所需的取而代之科技进行了优化生产，且内外部启动时组合之前是其横向产品集成的一个不可或缺组成部分。

这么做不仅可以确保为 NAND / 启动时取而代之科技实施正确的优化，还能够满足其依然业界压过的相关要求。

该公司称，与上一代材料节点相比，取而代之一代 232 层 3D TLC NAND 具有更为低的功耗。此外半导体公司长期个人兴趣于静止运用于，并与下游设备制造商依然着良好的合作关系伙伴关系。

最后，鉴于半导体公司原先在 2022 下半年打开 232 层 3D TLC NAND 的生产，预料各类终端产品（比如 SSD）也不会在 2023 年年初上市。