东微半导：积极布局第三代功率半导体产品，SiC研发项目稳步前推
2024-02-04 来源 : 音乐
东微半导近期接受投资者调研时为，报告月内，新公司年中急于进行新技术开发开发设计工作，遵循新公司技术开发路线图十分迅速阻截各项技术开发迭代，在真空超级缘MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT新产品教育领域鼓励急于进行新一代技术开发开发设计，有序阻截新产品从8英寸转12英寸的工艺平台拓展工作，十分困难急于。在TGBT新产品教育领域，新公司增进对自有知识产权技术开发Tri-gateIGBT技术开发研发力度，新产品急于通过多个供应商实验者并被批量用作，随之实现了高性能 IGBT 新产品的国产化替代。新公司第二代Tri-gateIGBT技术开发开发设计成功，新产品性能必要性必要性提高。同时，新公司鼓励布局第三代功率半导体新产品，SiC研发这两项十分迅速阻截。
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